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ROHM Semiconductor MOSFET per piccoli segnali a canale P RV7E035AT

Il MOSFET per piccoli segnali a canale P RV7E035AT di ROHM Semiconductor è un dispositivo compatto e ad alte prestazioni progettato per applicazioni di commutazione a bassa tensione. Alloggiato in un package TUMT3 che consente di risparmiare spazio, il RV7E035AT offre eccellenti caratteristiche di commutazione e bassa resistenza di conduzione, rendendolo ideale per l'elettronica portatile e alimentata a batteria. Questo MOSFET presenta una tensione di drain-source (VDS) di -30 V, una corrente di drain continua (ID) di -3,5 A e una bassa resistenza di conduzione [RDS(on)] di soli 47 mΩ a VGS= -4,5 V, garantendo una gestione dell'energia efficiente e una generazione di calore minima. Il RV7E035AT di ROHM Semiconductor è ottimizzato per la commutazione ad alta velocità ed è particolarmente adatto per la commutazione di carico, i convertitori CC-CC e i circuiti di gestione dell'energia in dispositivi elettronici compatti. Un design robusto e l'efficienza termica garantiscono inoltre un funzionamento affidabile in ambienti difficili.

Caratteristiche

  • Pad di dissipazione ultracompatto senza piombo ed esposto per un'eccellente conduzione termica, contenitore in plastica SMD (1,2 mm × 1,2 mm × 0,5 mm)
  • Bassa resistenza massima di accensione di 78 mΩ
  • Alimentazione -4,5 V
  • Tensione di rottura drain-source massima -30 V
  • Coefficiente di temperatura della tensione di rottura tipico -24,1 mV/°C
  • Corrente di drain continua massima ±3,5 A
  • Corrente di drain in impulsi massima di ±10 A
  • Tensione massima tra gate e sorgente di ±20 V
  • Corrente massima di valanga a singolo impulso -3,5 A
  • Energia massima di valanga a singolo impulso 0,46 mJ
  • Dissipazione di potenza massima di 1,1 W
  • Corrente di drain a tensione di gate zero massima di -1 µA
  • Corrente di dispersione gate-source massima di ±100 nA
  • Intervallo di tesione di soglia del gate da -1.0 V a -2,5 V
  • Coefficiente di temperatura della tensione di soglia del gate tipico di 3,3 mV/°C
  • Resistenza tipico del gate 13 Ω
  • Ammettenza di trasferimento diretto tipica 2,5 S
  • Capacità elettrica tipica
    • 3,5 pF in ingresso
    • 55 pF in uscita
    • 43 pF in trasferimento inverso
  • Tempi tipici
    • Ritardo di accensione 8,0 ns
    • Salita 9,0 ns
    • Ritardo di spegnimento 28 ns
    • Discesa 8,5 ns
  • Carica tipico del gate
    • Carica totale del gate 4,3 nC
    • Carica gate-source 1,6 nC
    • Carica gate-drain 1,5 nC
  • Diodo di corpo
    • Corrente diretta continua massima -0,92 A
    • Corrente massima di impulso diretta -10 A
    • Tensione diretta massima -1,2 V
  • Intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a +150 °C
  • Rivestimento a base di piombo senza piombo e conforme a RoHS

Applicazioni

  • Circuiti di commutazione
  • Interruttori di carico a monte

Circuito interno

Schema di circuito di applicazione - ROHM Semiconductor MOSFET per piccoli segnali a canale P RV7E035AT
Pubblicato: 2025-05-20 | Aggiornato: 2025-06-04