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RV7E035ATTCR1

Name: ROHM Semiconductor RV7E035ATTCR1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RV7E035ATTCR1
Price: 0.68 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RV7E035ATTCR1

N. produttore:

RV7E035ATTCR1

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET : RV7E035AT is a MOSFET, suitable for switching circuits and High side Load switch.

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

RV7E035ATTCR1 Scheda dati (PDF)

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-,-- €

Prezzo esteso:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	0,688 €	0,69 €
	0,425 €	4,25 €
	0,28 €	28,00 €
	0,22 €	110,00 €
	0,188 €	188,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,157 €	471,00 €
	0,143 €	858,00 €
	0,132 €	1.188,00 €
	0,129 €	3.096,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN1212-3
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	3.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	78 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	4.3 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.1 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	8.5 ns
Transconduttanza diretta - Min:	2.5 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	9 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	28 ns
Tipico ritardo di accensione:	8 ns

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Scheda dati

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET per piccoli segnali a canale P RV7E035AT

Il MOSFET per piccoli segnali a canale P RV7E035AT di ROHM Semiconductor è un dispositivo compatto e ad alte prestazioni progettato per applicazioni di commutazione a bassa tensione. Alloggiato in un package TUMT3 che consente di risparmiare spazio, il RV7E035AT offre eccellenti caratteristiche di commutazione e bassa resistenza di conduzione, rendendolo ideale per l'elettronica portatile e alimentata a batteria. Questo MOSFET presenta una tensione di drain-source (V_DS) di -30 V, una corrente di drain continua (ID) di -3,5 A e una bassa resistenza di conduzione [R_DS(on)] di soli 47 mΩ a V_GS= -4,5 V, garantendo una gestione dell'energia efficiente e una generazione di calore minima. Il RV7E035AT di ROHM Semiconductor è ottimizzato per la commutazione ad alta velocità ed è particolarmente adatto per la commutazione di carico, i convertitori CC-CC e i circuiti di gestione dell'energia in dispositivi elettronici compatti. Un design robusto e l'efficienza termica garantiscono inoltre un funzionamento affidabile in ambienti difficili.