ROHM Semiconductor MOSFET per piccoli segnali RTF016N05FRA

Il MOSFET per piccoli segnali RTF016N05FRA di ROHM Semiconductor  presenta bassa resistenza in conduzione, diodo di protezione G-S integrato e rivestimento dei conduttori senza piombo. Questo MOSFET è disponibile in un piccolo package a montaggio superficiale TUMT3 ed è qualificato AEC-Q101. Il MOSFET RTF016N05TRA offre una tensione drain-source di 45 V, ±una corrente di drain continua di 1,6 A e ±una corrente di drain pulsata di 6,4 A. Questo MOSFET opera in un intervallo delle temperature di giunzione e di conservazione da° -55 °C a 150° °C. Il MOSFET di segnale RTF016N05TRA è ideale per l'uso nella commutazione.

Caratteristiche

  • Bassa resistenza in conduzione
  • Diodo di protezione G-S integrato
  • Package a montaggio superficiale di piccole dimensioni TUMT3
  • Placcatura senza piombo
  • Conforme a RoHS
  • Conforme allo standard AEC-Q101

Specifiche

  • Tensione drain-source: 45 V
  • Corrente di drain continua: ±1,6 A
  • Corrente di drain pulsata: ±6,4 A
  • Intervallo delle temperature di funzionamento alla giunzione: da -55 °C a 150 °C
  • Dissipazione di potenza: 0,8 W
  • Resistenza in stato attivo max: 190 mΩ

Diagramma di circuito

Diagramma - ROHM Semiconductor MOSFET per piccoli segnali RTF016N05FRA
Pubblicato: 2021-02-16 | Aggiornato: 2022-03-11