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RTF016N05FRATL

Name: ROHM Semiconductor RTF016N05FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RTF016N05FRATL
Price: 0.58 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RTF016N05FRATL

N. produttore:

RTF016N05FRATL

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET AECQ

Scheda dati:

RTF016N05FRATL Scheda dati

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	0,585 €	0,59 €
	0,406 €	4,06 €
	0,30 €	30,00 €
	0,255 €	127,50 €
	0,23 €	230,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,166 €	498,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOT-323T-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	45 V
Id - corrente di drain continua:	1.6 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	190 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.5 V
Qg - Carica del gate:	2.3 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	800 mW
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	10 ns
Transconduttanza diretta - Min:	1.5 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	14 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	16 ns
Tipico ritardo di accensione:	8 ns
Alias n. parte:	RTF016N05FRA

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SpiceLink

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Test/Quality Data

RoHS (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MOSFET per piccoli segnali RTF016N05FRA

Il MOSFET per piccoli segnali RTF016N05FRA di ROHM Semiconductor presenta bassa resistenza in conduzione, diodo di protezione G-S integrato e rivestimento dei conduttori senza piombo. Questo MOSFET è disponibile in un piccolo package a montaggio superficiale TUMT3 ed è qualificato AEC-Q101. Il MOSFET RTF016N05TRA offre una tensione drain-source di 45 V, ±una corrente di drain continua di 1,6 A e ±una corrente di drain pulsata di 6,4 A. Questo MOSFET opera in un intervallo delle temperature di giunzione e di conservazione da° -55 °C a 150° °C. Il MOSFET di segnale RTF016N05TRA è ideale per l'uso nella commutazione.

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V_DSS to 100V_DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R_DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.