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ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RQ3xFRATCB

I MOSFET di potenza RQ3xFRATCB di ROHM Semiconductor  sono MOSFET qualificati AEC-Q101 di grado automobilistico. Questi MOSFET sono caratterizzati da un intervallo di tensione drain-source da -40V a 100V, 8 terminali, dissipazione di potenza fino a 69W e corrente di drain continua da ±12A   a ±27A. I MOSFET di potenza RQ3xFRATCB sono disponibili sia a canale N che a canale P. Questi MOSFET di potenza sono disponibili in un piccolo package HSMT8AG da 3,3 mm x 3,3 mm. I MOSFET di potenza RQ3xFRATCB sono ideali per i sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS), l'infotainment, l'illuminazione e la carrozzeria.

Caratteristiche

  • Conformi alle qualifiche AEC-Q101
  • Package piccolo e ad alta potenza
  • Realizzazione di un'elevata affidabilità di montaggio grazie al terminale originale e al trattamento di placcatura
  • Disponibile a canale N e canale P
  • Dimesioni: 3,3 mm x 3,3 mm (t=0,8) dimensioni
  • Package HSMT8AG

Applicazioni

  • Sistemi avanzati di assistenza al conducente (ADAS)
  • Infotainment
  • Illuminazione
  • Carrozzeria
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Codice prodotto Scheda dati Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Qg - Carica del gate Vgs th - Tensione di soglia gate-source Pd - Dissipazione di potenza Tempo di caduta Transconduttanza diretta - Min Tempo di salita Ritardo di spegnimento tipico Tipico ritardo di accensione
RQ3G270BJFRATCB RQ3G270BJFRATCB Scheda dati P-Channel 1 Channel 40 V 27 A 22 mOhms 32 nC 2.5 V 69 W 37 ns 11 S 15 ns 126 ns 10 ns
RQ3G120BJFRATCB RQ3G120BJFRATCB Scheda dati P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 48 mOhms 15.5 nC 2.5 V 40 W 9.8 ns 6.5 S 4.7 ns 36 ns 6.7 ns
RQ3L120BJFRATCB RQ3L120BJFRATCB Scheda dati P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 106 mOhms 15.7 nC 2.5 V 40 W 18 ns 7.8 S 13 ns 52 ns 8.7 ns
Pubblicato: 2024-05-22 | Aggiornato: 2024-06-11