MOSFET di potenza RQ3xFRATCB
I MOSFET di potenza RQ3xFRATCB di ROHM Semiconductor sono MOSFET qualificati AEC-Q101 di grado automobilistico. Questi MOSFET sono caratterizzati da un intervallo di tensione drain-source da -40V a 100V, 8 terminali, dissipazione di potenza fino a 69W e corrente di drain continua da ±12A a ±27A. I MOSFET di potenza RQ3xFRATCB sono disponibili sia a canale N che a canale P. Questi MOSFET di potenza sono disponibili in un piccolo package HSMT8AG da 3,3 mm x 3,3 mm. I MOSFET di potenza RQ3xFRATCB sono ideali per i sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS), l'infotainment, l'illuminazione e la carrozzeria.
