MOSFET di potenza RQ3xFRATCB

I MOSFET di potenza RQ3xFRATCB di ROHM Semiconductor  sono MOSFET qualificati AEC-Q101 di grado automobilistico. Questi MOSFET sono caratterizzati da un intervallo di tensione drain-source da -40V a 100V, 8 terminali, dissipazione di potenza fino a 69W e corrente di drain continua da ±12A   a ±27A. I MOSFET di potenza RQ3xFRATCB sono disponibili sia a canale N che a canale P. Questi MOSFET di potenza sono disponibili in un piccolo package HSMT8AG da 3,3 mm x 3,3 mm. I MOSFET di potenza RQ3xFRATCB sono ideali per i sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS), l'infotainment, l'illuminazione e la carrozzeria.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive 3.830A magazzino
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Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 27 A 22 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive 2.997A magazzino
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Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 48 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive 2.795A magazzino
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Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 106 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape