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ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale N RH6

I MOSFET di potenza N-Channel RH6 di ROHM Semiconductor offrono una bassa resistenza di conduzione in un piccolo package stampato in resina ad alte prestazioni, a 8 pin, per montaggio superficiale (HSMT-8). I MOSFET RH6 offrono una dissipazione di potenza 59 W e un intervallo di temperatura di funzionamento tra -55°C e +150°C. I MOSFET di potenza RH6 a canale N sono progettati per applicazioni di commutazione.

Caratteristiche

  • Bassa resistenza in conduzione
  • Canale singolo
  • Modalità di arricchimento
  • Tecnologia Si
  • Package stampato di piccole dimensioni ad alta potenza (HSMT-8)
  • Montaggio superficiale
  • Rivestimento senza piombo
  • Conforme a RoHS, senza alogeni

Specifiche

  • 8 pin
  • Intervallo di corrente di drain continua: da 25 A a 95 A
  • Tensione gate-source ±20 V
  • Dissipazione di potenza: 59 W
  • Intervallo di tempo di ritardo di spegnimento tipico: da 35 ns a 51 ns
  • Intervallo di tempo di ritardo di accensione tipico: da 15 ns a 19 ns
  • Intervallo di tempo di riduzione: da 8 ns a 17 ns
  • Intervallo di tempo di incremento: da 9,5 ns a 20 ns
  • Intervallo di resistenza sorgente on-drain: da 3,6 mΩ a 73 mΩ
  • Intervallo di carica del gate: da 16,7 nC a 25 nC
  • Intervallo di tensione di rottura drain-source: da 60 V a 150 V
  • Intervallo di tensione di soglia gate-source: 2,5 V o 4 V
  • Intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a +150 °C
Pubblicato: 2023-02-01 | Aggiornato: 2025-10-10