MOSFET di potenza a canale N RH6

I MOSFET di potenza N-Channel RH6 di ROHM Semiconductor offrono una bassa resistenza di conduzione in un piccolo package stampato in resina ad alte prestazioni, a 8 pin, per montaggio superficiale (HSMT-8). I MOSFET RH6 offrono una dissipazione di potenza 59 W e un intervallo di temperatura di funzionamento tra -55°C e +150°C. I MOSFET di potenza RH6 a canale N sono progettati per applicazioni di commutazione.

Risultati: 9
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 N-CH 150V 40A
Scheda dati
2.100A magazzino
Min: 1
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Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 150 V 40 A 38 mOhms 20 V 4 V 11.3 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 N-CH 60V 65A
Scheda dati
3.148A magazzino
MouseReel disponibile
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Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 60 V 65 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18.8 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET
Scheda dati
4.997A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 15.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 N-CH 40V 135A
Scheda dati
2.100A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 135 A 2.4 mOhms 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET
Scheda dati
2.980A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 125 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 N-CH 40V 135A
Scheda dati
3.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 135 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)
Scheda dati
3.000A magazzino
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Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 80 V 65 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 150V 25A N-CH
Scheda dati
5.870A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 N-CH 40V 95A
Scheda dati
5.98519/06/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel