ROHM Semiconductor IGBT AEC-Q101 RGS30TSX2DHR e RGS30TSX2HR
Gli IGBT Field Stop Trench AEC-Q101 RGS30TSX2DHR E RGS30TSX2HR di ROHM Semiconductor sono transistor bipolari con gate isolato garantiti da 10 µs SCSOA(Area operativa di sicurezza dei cortocircuiti), adatti ad inverter per uso generico in applicazioni nel settore automobilistico e industriale. I RGS30TSX2DHR e RGS30TSX2HR offrono bassa perdita di conduzione che contribuisce a ridurre le dimensioni e a migliorare l'efficienza. Questi dispositivi utilizzano tecnologie originali trench-gate e a wafer sottile. Queste tecnologie aiutano a raggiungere una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)) con perdite di commutazione ridotte. Questi IGBT forniscono un maggiore gestione dell'alimentazione in una varietà di applicazioni ad alta tensione e alta corrente.
Gli IGBT RGS30TSX2DHR & RGS30TSX2HR Thye ROHM Semiconductor sono offerti in un package TO-247N e sono qualificati AEC-Q101 per l'uso in applicazioni nel settore automobilistico. RGS30TSX2DHR presenta anche un diodo a recupero rapido (FRD) integrato.
Caratteristiche
- Conforme allo standard AEC-Q101
- Tempo di resistenza ai cortocircuiti: 10 μs
- Diodo a recupero rapido e progressivo FRD integrato (solo RGS30TSX2DHR)
- Tensione collettore-emettitore: 1200 V (VCES)
- Tensione gate-emettitore: ±30 V (VGES)
- Tensione di saturazione collettore-emettitore: 1,7 V (VCE(sat))
- Corrente collettore: 15 A (IC)
- Tensione soglia gate-emettitore: 7 V (VGE(th))
- Dissipazione di potenza: 267 W (PD)
- Intervallo delle temperature operative di giunzione: da -40 °C a +175 °C
- Package TO-247N
- Privo di piombo e conforme a RoHS
Applicazioni
- Inverter generico per uso nel settore automobilistico e industriale
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Offrono bassi valori di perdita di conduzione e bassa VCE(sat) con perdite di commutazione ridotte.
Layout dei pin
Pubblicato: 2021-03-17
| Aggiornato: 2022-03-11