IGBT AEC-Q101 RGS30TSX2DHR e RGS30TSX2HR
Gli IGBT Field Stop Trench AEC-Q101 RGS30TSX2DHR E RGS30TSX2HR di ROHM Semiconductor sono transistor bipolari con gate isolato garantiti da 10 µs SCSOA(Area operativa di sicurezza dei cortocircuiti), adatti ad inverter per uso generico in applicazioni nel settore automobilistico e industriale. I RGS30TSX2DHR e RGS30TSX2HR offrono bassa perdita di conduzione che contribuisce a ridurre le dimensioni e a migliorare l'efficienza. Questi dispositivi utilizzano tecnologie originali trench-gate e a wafer sottile. Queste tecnologie aiutano a raggiungere una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)) con perdite di commutazione ridotte. Questi IGBT forniscono un maggiore gestione dell'alimentazione in una varietà di applicazioni ad alta tensione e alta corrente.
