ROHM Semiconductor Diodi a recupero ultrarapido RFx30TZ6S e RFx60TZ6S
I diodi a recupero ultrarapido RFx30TZ6S e RFx60TZ6S di ROHM Semiconductor sono diodi planari epitassiali al silicio che offrono una tensione inversa di picco di 650 V e un intervallo di corrente diretta rettificata da 30 A a 60 A. Questi dispositivi presentano un recupero rapido, una perdita di commutazione ultrabassa e un'elevata capacità di sovraccarico di corrente.
I diodi a recupero ultrarapido RFx30TZ6S e RFx60TZ6S di ROHM Semiconductor sono offerti in un package TO-247-2L standard del settore con una temperatura di giunzione massima di 175 ℃.
Caratteristiche
- Struttura planare epitassiale in silicio
- Tensione inversa da 650 V
- Intervallo di corrente diretta rettificata da 30 A a 60 A
- Recupero ultrarapido
- Tipo di recupero ultraprogressivo
- Perdita di commutazione ultrabassa
- Alta capacità di sovraccarico corrente
- Package TO-247-2L
Applicazioni
- Rettifica generale
- Alimentatori PFC
Forme d'onda di confronto delle prestazioni di rumore
Mappa di confronto caratteristiche VF e trr
Designazioni dei pin
Schema del package
View Results ( 4 ) Page
| Codice prodotto | Scheda dati | Sovracorrente temporanea max | If - Corrente diretta | Tempo di recupero | Vf - Tensione diretta | Package/involucro |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RFL60TZ6SGC13 |  |
320 A | 60 A | 90 ns | 1.5 V | TO-247-2 |
| RFS30TZ6SGC13 | |
160 A | 30 A | 38 ns | 2.3 V | TO-247-2 |
| RFL30TZ6SGC13 | |
200 A | 30 A | 70 ns | 1.5 V | TO-247-2 |
| RFS60TZ6SGC13 | |
250 A | 60 A | 48 ns | 2.3 V | TO-247-2 |
Pubblicato: 2022-03-14
| Aggiornato: 2022-07-12