Diodi a recupero ultrarapido RFx30TZ6S e RFx60TZ6S

I diodi a recupero ultrarapido RFx30TZ6S e RFx60TZ6S di ROHM Semiconductor sono diodi planari epitassiali al silicio che offrono una tensione inversa di picco di 650 V e un intervallo di corrente diretta rettificata da 30 A a 60 A. Questi dispositivi presentano un recupero rapido, una perdita di commutazione ultrabassa e un'elevata capacità di sovraccarico di corrente.

Risultati: 4
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Vr - Tensione inversa
If - Corrente diretta
Tipo
Configurazione
Vf - Tensione diretta
Sovracorrente temporanea max
Ir - Corrente inversa
Tempo di recupero
Temperatura di lavoro massima
Confezione
ROHM Semiconductor Raddrizzatori 650V 30A, TO-247-2L, Ultra Soft Recovery Type, Ultra Fast Recovery Diode
Scheda dati
1.665A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 650 V 30 A Ultra Fast Recovery Diode Single 2.3 V 160 A 5 uA 38 ns + 175 C Tube
ROHM Semiconductor Raddrizzatori Diode, Fast Recovery, 650V 30A, TO-247-2L
Scheda dati
1.095A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 650 V 30 A Ultra Fast Recovery Diode Single 1.5 V 200 A 5 uA 70 ns + 175 C Tube
ROHM Semiconductor Raddrizzatori 650V 60A, TO-247-2L, Ultra Soft Recovery Type, Ultra Fast Recovery Diode
Scheda dati
1.114A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 650 V 60 A Ultra Fast Recovery Diode Single 2.3 V 250 A 10 uA 48 ns + 175 C Tube
ROHM Semiconductor Raddrizzatori Diode, Fast Recovery, 650V 60A, TO-247-2L
Scheda dati
929A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 650 V 60 A Ultra Fast Recovery Diode Single 1.5 V 320 A 10 uA 90 ns + 175 C Tube