ROHM Semiconductor Diodo a recupero ultrarapido RFN10BGE3STL
Il diodo a recupero ultrarapido RFN10BGE3STL di ROHM Semiconductor presenta una struttura planare epitassiale in silicio con elevata capacità di sovraccarico di corrente e bassa perdita di commutazione. Questo diodo a recupero ultrarapido è memorizzato in un intervallo di temperatura da° -55 °C a 150 °°C e offre una tensione inversa di picco ripetitiva di 350 V. Il diodo RFN10BGE3STL funziona con corrente diretta raddrizzata media a 10 A, tensione diretta massima di 1,5 V, corrente inversa massima di 10 μA e temperatura di giunzione di 150 °°C. Questo diodo è ideale per l'uso nella rettifica generale.
Caratteristiche
- Struttura planare epitassiale in silicio
- Alta capacità di sovraccarico corrente
- Bassa perdita di commutazione
- Intervallo delle temperature di conservazione: da -55 °C a +150 °C
- Tensione inversa di picco ripetitiva: 350 V
- Corrente diretta rettificata media: 10 A
- Tensione diretta massima: 1,5 V
- Corrente inversa max: 10 μA
- Temperatura di giunzione: 150 °C
Disegno meccanico
Pubblicato: 2021-02-23
| Aggiornato: 2022-03-11