RFN10BGE3STL

ROHM Semiconductor
755-RFN10BGE3STL
RFN10BGE3STL

Produttore:

Descrizione:
Raddrizzatori RECT 350V 10A SM SUPER FST

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
ROHM Semiconductor
Categoria prodotto: Raddrizzatori
RoHS::  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
TO-252GE-3
350 V
10 A
Super Fast Recovery Diode
Single
1.5 V
80 A
10 uA
30 ns
+ 150 C
Reel
Cut Tape
Marchio: ROHM Semiconductor
Prodotto: Rectifiers
Tipo di prodotto: Rectifiers
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Diodes & Rectifiers
Alias n. parte: RFN10BGE3S
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TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Diodo a recupero ultrarapido RFN10BGE3STL

Il diodo a recupero ultrarapido RFN10BGE3STL di ROHM Semiconductor  presenta una struttura planare epitassiale in silicio con elevata capacità di sovraccarico di corrente e bassa perdita di commutazione. Questo diodo a recupero ultrarapido è memorizzato in un intervallo di temperatura da° -55 °C a 150 °°C e offre una tensione inversa di picco ripetitiva di 350 V. Il diodo RFN10BGE3STL funziona con corrente diretta raddrizzata media a 10 A, tensione diretta massima di 1,5 V, corrente inversa massima di 10 μA e temperatura di giunzione di 150 °°C. Questo diodo è ideale per l'uso nella rettifica generale.