ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive RF7x
I MOSFET di potenza RF7x per applicazioni automobilistiche di ROHM Semiconductor (che comprendono le varianti RF7G, RF7L e RF7P) sono dispositivi in carburo di silicio (SiC) ad alte prestazioni progettati per applicazioni di potenza esigenti. Questi MOSFET hanno una tensione nominale di 1200 V, rendendo i MOSFET ROHM RF7x ideali per ambienti ad alta tensione come inverter automobilistici, caricatori di bordo e sistemi di alimentazione industriali. La serie RF7G offre caratteristiche bilanciate adatte per un uso generico, mentre la serie RF7L è ottimizzata per basse perdite di conduzione, migliorando l'efficienza in scenari di funzionamento continuo come la gestione delle batterie e l'accumulo di energia. La serie RF7P eccelle nella commutazione ad alta velocità, rendendola particolarmente adatta per applicazioni che richiedono una risposta rapida, come le apparecchiature di telecomunicazione e l'illuminazione a LED. In tutte le varianti, le caratteristiche principali includono bassa resistenza ON, prestazioni di commutazione rapide, elevata affidabilità e dimensioni compatte, che consentono una conversione di potenza efficiente e robusta sia nel settore automobilistico che in quello industriale.Caratteristiche
- Tensione nominale 1.200 V
- Tecnologia MOSFET SiC
- Bassa resistenza in conduzione (RDS(on))
- prestazioni di commutazione rapida
- Modalità di arricchimento
- Opzioni a canale N e P
- Alta affidabilità
- Package DFN2020-8 compatto per montaggio superficiale
- Carica ottimizzata del gate
Applicazioni
- Tipi per uso generale (RF7Gx)
- Inverter automotive
- Caricatori di bordo (OBC)
- Convertitori CC/CC
- Alimentatori industriali
- Comandi di motori
- Sistemi di energia rinnovabile
- Sistemi UPS
- Stazioni di carica per veicoli elettrici
- Tipo commutazione ad alta velocità (RF7Px)
- Elettronica di consumo
- Illuminazione a LED
- Alimentatori a bassa tensione
- Dispositivi portatili
- Applicazioni Internet delle cose (IoT)
- Apparecchiatura di telecomunicazione
- Tipo a bassa perdita (RF7Lx)
- Elettronica automotive
- Sistemi di gestione della batteria
- Controllo del gruppo motopropulsore
- Automazione industriale
- Robotica
- Infrastruttura di rete intelligente
- Sistemi di conservazione dell'energia
Specifiche
- Opzioni di tensione di rottura drain-source 40 V, 60 V e 100 V
- Corrente di drain continua 12 A
- Intervallo di resistenza drain-source da 18,5 mΩ a 119 mΩ
- Opzioni di tensione di soglia gate-source 2,5 V o 4 V
- Dissipazione di potenza di 23 W
- Intervallo di carica del gate da 6,8 nC a 15,7 nC
- Intervallo minimo di transconduttanza diretta da 2,7 S a 4 S
- Intervallo tempo di salita da 6 ns a 13 ns
- Intervallo di tempo di ritardo di accensione tipico da 7 ns a 9 ns
- Intervallo del tempo di discesa da 4,7 ns a 18 ns
- Intervallo di tempo di ritardo di spegnimento tipico da 16 ns a 52 ns
- Intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a +150 °C
Circuiti interni
Pubblicato: 2025-10-10
| Aggiornato: 2025-10-17
