ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive RF7x

I MOSFET di potenza RF7x per applicazioni automobilistiche di ROHM Semiconductor (che comprendono le varianti RF7G, RF7L e RF7P) sono dispositivi in carburo di silicio (SiC) ad alte prestazioni progettati per applicazioni di potenza esigenti. Questi MOSFET hanno una tensione nominale di 1200 V, rendendo i MOSFET ROHM RF7x ideali per ambienti ad alta tensione come inverter automobilistici, caricatori di bordo e sistemi di alimentazione industriali. La serie RF7G offre caratteristiche bilanciate adatte per un uso generico, mentre la serie RF7L è ottimizzata per basse perdite di conduzione, migliorando l'efficienza in scenari di funzionamento continuo come la gestione delle batterie e l'accumulo di energia. La serie RF7P eccelle nella commutazione ad alta velocità, rendendola particolarmente adatta per applicazioni che richiedono una risposta rapida, come le apparecchiature di telecomunicazione e l'illuminazione a LED. In tutte le varianti, le caratteristiche principali includono bassa resistenza ON, prestazioni di commutazione rapide, elevata affidabilità e dimensioni compatte, che consentono una conversione di potenza efficiente e robusta sia nel settore automobilistico che in quello industriale.

Caratteristiche

  • Tensione nominale 1.200 V
  • Tecnologia MOSFET SiC
  • Bassa resistenza in conduzione (RDS(on))
  • prestazioni di commutazione rapida
  • Modalità di arricchimento
  • Opzioni a canale N e P
  • Alta affidabilità
  • Package DFN2020-8 compatto per montaggio superficiale
  • Carica ottimizzata del gate

Applicazioni

  • Tipi per uso generale (RF7Gx)
    • Inverter automotive
    • Caricatori di bordo (OBC)
    • Convertitori CC/CC
    • Alimentatori industriali
    • Comandi di motori
    • Sistemi di energia rinnovabile
    • Sistemi UPS
    • Stazioni di carica per veicoli elettrici
  • Tipo commutazione ad alta velocità (RF7Px)
    • Elettronica di consumo
    • Illuminazione a LED
    • Alimentatori a bassa tensione
    • Dispositivi portatili
    • Applicazioni Internet delle cose (IoT)
    • Apparecchiatura di telecomunicazione
  • Tipo a bassa perdita (RF7Lx)
    • Elettronica automotive
    • Sistemi di gestione della batteria
    • Controllo del gruppo motopropulsore
    • Automazione industriale
    • Robotica
    • Infrastruttura di rete intelligente
    • Sistemi di conservazione dell'energia

Specifiche

  • Opzioni di tensione di rottura drain-source 40 V, 60 V e 100 V
  • Corrente di drain continua 12 A
  • Intervallo di resistenza drain-source da 18,5 mΩ a 119 mΩ
  • Opzioni di tensione di soglia gate-source 2,5 V o 4 V
  • Dissipazione di potenza di 23 W
  • Intervallo di carica del gate da 6,8 nC a 15,7 nC
  • Intervallo minimo di transconduttanza diretta da 2,7 S a 4 S
  • Intervallo tempo di salita da 6 ns a 13 ns
  • Intervallo di tempo di ritardo di accensione tipico da 7 ns a 9 ns
  • Intervallo del tempo di discesa da 4,7 ns a 18 ns
  • Intervallo di tempo di ritardo di spegnimento tipico da 16 ns a 52 ns
  • Intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a +150 °C

Circuiti interni

Schema di circuito di applicazione - ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive RF7x
Pubblicato: 2025-10-10 | Aggiornato: 2025-10-17