MOSFET di potenza automotive RF7x

I MOSFET di potenza RF7x per applicazioni automobilistiche di ROHM Semiconductor (che comprendono le varianti RF7G, RF7L e RF7P) sono dispositivi in carburo di silicio (SiC) ad alte prestazioni progettati per applicazioni di potenza esigenti. Questi MOSFET hanno una tensione nominale di 1200 V, rendendo i MOSFET ROHM RF7x ideali per ambienti ad alta tensione come inverter automobilistici, caricatori di bordo e sistemi di alimentazione industriali. La serie RF7G offre caratteristiche bilanciate adatte per un uso generico, mentre la serie RF7L è ottimizzata per basse perdite di conduzione, migliorando l'efficienza in scenari di funzionamento continuo come la gestione delle batterie e l'accumulo di energia. La serie RF7P eccelle nella commutazione ad alta velocità, rendendola particolarmente adatta per applicazioni che richiedono una risposta rapida, come le apparecchiature di telecomunicazione e l'illuminazione a LED. In tutte le varianti, le caratteristiche principali includono bassa resistenza ON, prestazioni di commutazione rapide, elevata affidabilità e dimensioni compatte, che consentono una conversione di potenza efficiente e robusta sia nel settore automobilistico che in quello industriale.

Risultati: 8
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 60V 12A 2.093A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 40V 12A 1.201A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 18.5 mOhms 20 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 12A N-CH 2.100A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 59 mOhms 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 P-CH 40V 12A 185A magazzino
3.00027/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 61 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 40V 12A
3.00023/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 19 mOhms 4 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 P-CH 60V 12A
2.90026/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 119 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 60V 12A
3.00023/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 12A N-CH
3.00005/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 31 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape