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ROHM Semiconductor Diodi a barriera Schottky RBR40NS

ROHM Semiconductor RBR40NS SCHOTTKY Barrier diodi sono progettati per l'uso in alimentatori di commutazione e hanno una corrente di sovraccarico di picco di 100 A. Questi diodi offrono alta affidabilità, bassa tensione diretta e corrente diretta media raddrizzata pari a 40 A. I diodi a barriera SCHOTTKY RBR40NS sono disponibili in tre varianti con tensioni di picco di inversione ripetitive pari a 30 V, 40 V e 60 V. Questi diodi sono progettati utilizzando una struttura a tipo epitassale planare in silicio e sono disponibili in un package TO-263AB (D2PAK). La barriera RBR40NS SCHOTTKY diodi è conforme a RoHS e opera nell'intervallo -55°C a 150°C.

Caratteristiche

  • Alta affidabilità
  • Tipo di stampo per alimentazione
  • Doppi diodi a catodo comune
  • Bassa tensione diretta (VF)
  • Struttura planare epitassiale in silicio
  • Corrente di sovraccarico diretta di picco pari a 100 A (IFSM)
  • Corrente diretta media raddrizzata di 40 A (ID)
  • Conforme a RoHS
  • Temperatura di giunzione 150 °C
  • Intervallo temperatura di conservazione da -55 °C a 150 °C

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Codice prodotto Scheda dati If - Corrente diretta Ifsm - Sovracorrente diretta Ir - Corrente inversa Vf - Tensione diretta Vr - Tensione inversa Vrrm - Tensione inversa ripetitiva Temperatura di lavoro massima
RBR40NS30ATL RBR40NS30ATL Scheda dati 40 A 100 A 600 uA 520 mV 30 V 30 V + 150 C
RBR40NS40ATL RBR40NS40ATL Scheda dati 40 A 100 A 430 uA 550 mV 40 V 40 V + 150 C
RBR40NS60ATL RBR40NS60ATL Scheda dati 40 A 100 A 800 uA 600 mV 60 V 60 V + 150 C
Pubblicato: 2025-07-22 | Aggiornato: 2025-08-04