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ROHM Semiconductor Diodi a barriera Schottky di tipo a bassa VF RBRxx60ATL

I diodi a barriera Schottky RBRxx60ATL di ROHM Semiconductor sono diodi a bassa VF di tipo doppio comuni con tensione diretta inversa di 60 V (VR). Questi diodi offrono alta affidabilità, tensione inversa ripetitiva di 60 V (VRM) e operano in un intervallo di temperatura da -55 °C a +150 °C. I diodi a barriera RBRxx60ATL di ROHM Semiconductor sono prodotti utilizzando una costruzione di tipo planare epitassiale in silicio e sono disponibili in package TO-263S (DISPAK) o TO-252 (DPAK). Questi diodi a barriera Schottky sono ideali per alimentatori a commutazione.

Caratteristiche

  • Bassa VF e alta affidabilità
  • Tensione diretta inversa di 60 V (VR)
  • Costruzione di tipo planare epitassiale in silicio
  • Catodo di tipo doppio comune
  • Package TO-263S (D2PAK) o TO-252 (DPAK)
  • Intervallo di temperatura: da -55 °C a +150 °C
  • Adatti per alimentatori a commutazione

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Pubblicato: 2020-12-31 | Aggiornato: 2024-10-31