ROHM Semiconductor MOSFET WLCSP RA1C030LD

Il MOSFET WLCSP RA1C030LD di ROHM Semiconductor è un MOSFET a canale N progettato con una bassa resistenza in conduzione e un package ad alta potenza. Questo dispositivo presenta una tensione drain-to source _DSS di 20 V, una corrente di drain continua di 3 A e una dissipazione di potenza di 1 W. Il MOSFET RA1C030LD offre una tensione di pilotaggio di 1,8 V, protezione da scariche elettrostatiche (ESD) fino a 200 V (MM) e fino a 2 kV (HBM). Questo MOSFET è adatto per circuiti di commutazione, applicazioni a batteria a cella singola e applicazioni mobili. Il MOSFET RA1C030LD è un dispositivo senza piombo, privo di alogeni e conforme alla direttiva RoHS.