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RA1C030LDT5CL

Name: ROHM Semiconductor RA1C030LDT5CL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RA1C030LDT5CL
Price: 0.42 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RA1C030LDT5CL

N. produttore:

RA1C030LDT5CL

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)

Scheda dati:

RA1C030LDT5CL Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	0,421 €	0,42 €
	0,335 €	3,35 €
	0,214 €	21,40 €
	0,162 €	81,00 €
	0,131 €	131,00 €
	0,116 €	580,00 €
	0,096 €	960,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 15000)
	0,095 €	1.425,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	WLCSP-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	3 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	140 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 200 mV, 7 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.5 V
Qg - Carica del gate:	1.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 50 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	4 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	6 ns
Quantità colli di fabbrica:	15000
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	15 ns
Tipico ritardo di accensione:	6 ns
Alias n. parte:	RA1C030LD

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Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET WLCSP RA1C030LD

Il MOSFET WLCSP RA1C030LD di ROHM Semiconductor è un MOSFET a canale N progettato con una bassa resistenza in conduzione e un package ad alta potenza. Questo dispositivo presenta una tensione drain-to source _DSS di 20 V, una corrente di drain continua di 3 A e una dissipazione di potenza di 1 W. Il MOSFET RA1C030LD offre una tensione di pilotaggio di 1,8 V, protezione da scariche elettrostatiche (ESD) fino a 200 V (MM) e fino a 2 kV (HBM). Questo MOSFET è adatto per circuiti di commutazione, applicazioni a batteria a cella singola e applicazioni mobili. Il MOSFET RA1C030LD è un dispositivo senza piombo, privo di alogeni e conforme alla direttiva RoHS.