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ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale N per il settore automobilistico R800xxND3FRA

I MOSFET di potenza a canale N R800xxND3FRA ROHM Semiconductor   sono MOSFET a bassa resistenza in conduzione con circuiti di azionamento semplici. Questi MOSFET presentano velocità di commutazione elevata, placcatura senza piombo e sono qualificati AEC-Q101. I MOSFET   R800xxND3FRA sono disponibili in package DPAK (TO-252). I MOSFET   R800xxND3FRA di ROHM Semiconductor sono adatti per alimentatori a commutazione.

Caratteristiche

  • Bassa resistenza in conduzione
  • Incorpora circuiti di azionamento semplici
  • Velocità di commutazione elevata
  • Rivestimento senza piombo
  • Conforme allo standard AEC-Q101
  • Conforme a RoHS

Specifiche

  • R8001CND3FRA
    • Resistenza di conduzione della sorgente di drenaggio statica: 8,7Ω
    • Corrente di drain continua: ±1 A
    • Dissipazione di potenza: 36 W (PD)
  • R8002CND3FRA
    • Resistenza in stato attivo della sorgente di drenaggio statica: 4,3Ω
    • Corrente di drain continua: ±2 A
    • Dissipazione di potenza: 69 W (PD)
  • R8007AND3FRA
    • Resistenza di conduzione della sorgente di drenaggio statica: 1,6Ω
    • Corrente di drain continua: ±7 A
    • Dissipazione di potenza: 140 W (PD)
  • Comune
    • Tensione scarico-sorgente di 800V (VDSS)
    • Disponibile in package DPAK (TO-252)
    • Intervallo della temperatura di funzionamento: da -55 °C a +150 °C

Schemi del circuito interno

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale N per il settore automobilistico R800xxND3FRA

Grafici prestazionali

Grafico delle prestazioni - ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale N per il settore automobilistico R800xxND3FRA

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Codice prodotto Scheda dati Descrizione Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Qg - Carica del gate Pd - Dissipazione di potenza
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Pubblicato: 2020-11-18 | Aggiornato: 2024-10-29