MOSFET di potenza a canale N per il settore automobilistico R800xxND3FRA

I MOSFET di potenza a canale N R800xxND3FRA ROHM Semiconductor   sono MOSFET a bassa resistenza in conduzione con circuiti di azionamento semplici. Questi MOSFET presentano velocità di commutazione elevata, placcatura senza piombo e sono qualificati AEC-Q101. I MOSFET   R800xxND3FRA sono disponibili in package DPAK (TO-252). I MOSFET   R800xxND3FRA di ROHM Semiconductor sono adatti per alimentatori a commutazione.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 7A 1st Gen, for Auto 4.783A magazzino
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 28 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect 3.165A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1 A 8.7 Ohms - 30 V, 30 V 5.5 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 800V 2A N-CH 2.857A magazzino
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Mult.: 1
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 5.5 V 12.1 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel