ROHM Semiconductor MOSFET di potenza R60/R65 N-Ch

I MOSFET di potenza N-Can R60/R65 di ROHM Semiconductor forniscono un’uscita a singolo canale con tensione drain-source 600 V o 650 V in package TO-220FM-3/SOT-223-3. I MOSFET R60/R65 presentano un intervallo di temperatura di funzionamento da -55°C a 150°C/155°C e opzioni di dissipazione di potenza di 7,8 W, 6,6 W, 12,3 W, 9,1 W, 40 W, 46 W, 48 W,, 53 W, 68 W, 74 W o 86 W. I MOSFET di potenza N-Can R60/R65 sono ideali per applicazioni di commutazione.