ROHM Semiconductor MOSFET HZG BSS84X per piccoli segnali

Il MOSFET per piccoli segnali BSS84X HZG di ROHM Semiconductor è disponibile in un package ultracompatto senza piombo con drain pad esposto per un'eccellente conduzione termica. Il MOSFET per piccoli segnali HZG BSS84X presenta una tensione drain-source pari a -60 V, corrente di drain continua di ±230 mA e dissipazione di potenza pari a 1,0 W. L’HZG BSS84X è progettato per circuiti di commutazione, interruttori di carico lato alto e applicazioni per driver relè.

Il MOSFET HZG BSS84X per piccoli segnali di ROHM è disponibile in un package DFN1010-3W ed è qualificato AEC-Q101.

Caratteristiche

  • Pad di scarico esposto ultracompatto privo di piombo per un package in plastica SMT di eccellente conduzione termica (1,0 mm x 1,0 mm x 0,4 mm)
  • Flange laterali bagnabili per l’ispezione ottica automatica della saldatura (AOI)
  • I cuscinetti laterali saldabili stagnati al 100% garantiscono un minimo di 125 μm
  • Conformi alle qualifiche AEC-Q101
  • Unità da -4,5 V

Applicazioni

  • Circuiti di commutazione
  • Interruttori di carico lato alto
  • Driver per relè

Specifiche

  • Tensione drain source -60 V
  • Resistenza massima drain-source statica in conduzione 5,3 Ω max.
  • Corrente di drain continua ±230 mA
  • Dissipazione di potenza 1,0 W

Circuito di applicazione tipico

Schema di circuito di applicazione - ROHM Semiconductor MOSFET HZG BSS84X per piccoli segnali
Pubblicato: 2020-11-09 | Aggiornato: 2024-10-23