MOSFET HZG BSS84X per piccoli segnali

Il MOSFET per piccoli segnali BSS84X HZG di ROHM Semiconductor è disponibile in un package ultracompatto senza piombo con drain pad esposto per un'eccellente conduzione termica. Il MOSFET per piccoli segnali HZG BSS84X presenta una tensione drain-source pari a -60 V, corrente di drain continua di ±230 mA e dissipazione di potenza pari a 1,0 W. L’HZG BSS84X è progettato per circuiti di commutazione, interruttori di carico lato alto e applicazioni per driver relè.

Risultati: 3
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET SOT323 P-CH 60V .21A
Scheda dati
6.303A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 210 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
Scheda dati
Commenti sul prodotto
15.94102/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 8.000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET AECQ
Scheda dati
Commenti sul prodotto
11.957In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape