ROHM Semiconductor Gate driver a 1 canale BM6GD11BFJ-LB
Il gate driver ROHM Semiconductor BM6GD11BFJ-LB a canale singolo con isolamento integrato è in grado di pilotare i GaN HEMT ad alte velocità. Questo gate driver presenta una tensione di isolamento di 2500VRMS, un tempo di ritardo ingresso/uscita massimo di 60 ns e una larghezza di impulso di ingresso minima di 65 ns. Il gate driver BM6GD11BFJ-LB è costituito da una funzione di blocco di sottotensione (UVLO) sul lato di ingresso (tra VCC1 e GND1) e sul lato di uscita (tra VCC2 e GND2). Questo gate driver è disponibile nel package SOP-JW8 con dimensioni di 4,9 mm x 6 mm x 1,65 mm. Il gate driver BM6GD11BFJ-LB viene utilizzato in apparecchiature industriali, gate driver GaN HEMT, adattatori CA e applicazioni di alimentazione per server.
Caratteristiche
- Isolamento galvanico integrato
- Funzione di blocco per tensione di alimentazione inferiore alla soglia (UVLO)
- Tensione di isolamento 2500VRMS
- Tempo di ritardo ingresso/uscita massimo di 60 ns
- Larghezza di impulso di ingresso minima di 65 ns
Applicazioni
- Apparecchiature industriali
- Gate drive GaN HEMT
- Adattatori CA
- Alimentatori per server
Schema di circuito di applicazione di base (driver GaN HEMT di alta qualità)
.png "Schema di circuito di applicazione - ROHM Semiconductor Gate driver a 1 canale BM6GD11BFJ-LB")
Diagramma a blocchi
Pubblicato: 2025-05-15
| Aggiornato: 2025-06-26