BM6GD11BFJ-LBE2

ROHM Semiconductor
755-BM6GD11BFJ-LBE2
BM6GD11BFJ-LBE2

Produttore:

Descrizione:
Gate driver isolati galvanicamente 1CH GATE DRIVER

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ROHM Semiconductor
Categoria prodotto: Gate driver isolati galvanicamente
SMD/SMT
SOP-JW8
1 Channel
2500 Vrms
- 40 C
+ 125 C
60 ns
8 ns
8 ns
Reel
Cut Tape
Marchio: ROHM Semiconductor
Tensione di ingresso - Max: 5.5 V
Tensione di ingresso - Min.: 4.5 V
Ritardo di spegnimento massimo: 60 ns
Ritardo di accensione massimo: 60 ns
Numero di driver: 1 Driver
Numero di uscite: 1 Output
Tensione di uscita: 4.5 V to 6 V
Prodotto: Galvanic Gate Drivers
Quantità colli di fabbrica: 2500
Tensione di alimentazione - Max.: 5.5 V
Tensione di alimentazione - Min.: 4.5 V
Tipo: Galvanic Isolation Gate Driver
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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Gate driver a 1 canale BM6GD11BFJ-LB

Il gate driver ROHM Semiconductor BM6GD11BFJ-LB a canale singolo con isolamento integrato è in grado di pilotare i GaN HEMT ad alte velocità. Questo gate driver presenta una tensione di isolamento di 2500VRMS, un tempo di ritardo ingresso/uscita massimo di 60 ns e una larghezza di impulso di ingresso minima di 65 ns. Il gate driver BM6GD11BFJ-LB è costituito da una funzione di blocco di sottotensione (UVLO) sul lato di ingresso (tra VCC1 e GND1) e sul lato di uscita (tra VCC2 e GND2). Questo gate driver è disponibile nel package SOP-JW8 con dimensioni di 4,9 mm x 6 mm x 1,65 mm. Il gate driver BM6GD11BFJ-LB viene utilizzato in apparecchiature industriali, gate driver GaN HEMT, adattatori CA e applicazioni di alimentazione per server.

Optoelettronica

L'optoelettronica di ROHM Semiconductor include un ampio portfolio di driver per display, diodi laser, LED, schermi LED e sensori ottici progettati per l'uso in una vasta gamma di applicazioni.