ROHM Semiconductor Scheda di valutazione BM3G107MUV-EVK-003
La scheda di valutazione BM3G107MUV-EVK-003 di ROHM Semiconductor è progettata per valutare e dimostrare le capacità del circuito integrato dello stadio di potenza GaN HEMT BM3G107MUV. Il BM3G107MUV è dotato di un driver integrato e di un circuito di protezione. Questo circuito integrato dello stadio di potenza è progettato per adattare i principali controller esistenti in modo da poter sostituire anche gli interruttori di potenza discreti tradizionali, come i MOSFET a giunzione super. La scheda di valutazione BM3G107MUV-EVK-003 presenta una corrente di riposo tipica di 0,18 mA e una velocità di risposta all'accensione di 22 V/ns. Questa scheda di valutazione funziona nell'intervallo di temperatura da -40°C a 105°C.
Specifiche
- Intervallo di tensione di alimentazione da 6,83 V a 30 V
- Tensione di drain 650 V
- Corrente di riposo V DD 0,18 mA
- Velocità di risposta all'accensione 22 V/ns
- Intervallo di temperatura di funzionamento da -40 °C a 105 °C
Diagramma schematico
Pubblicato: 2025-08-06
| Aggiornato: 2025-08-27