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BM3G107MUV-EVK-003

Name: ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BM3G107MUVEVK003
Price: 23.07 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-BM3G107MUVEVK003

N. produttore:

BM3G107MUV-EVK-003

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione Eval Board for PMIC Power Switch/Driver, 650V, 7m

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

BM3G107MUV-EVK-003 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione
Prodotto:	Evaluation Boards
Tipo:	Gate Driver
Tensione di ingresso:	6.83 V to 30 V
Strumento per la valutazione di:	BM3G107MUV
Marchio:	ROHM Semiconductor
Da utilizzarsi con:	GaN FET
Temperatura di lavoro massima:	+ 105 C
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Tipo di prodotto:	Power Management IC Development Tools
Quantità colli di fabbrica:	1
Sottocategoria:	Development Tools

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Scheda dati

BM3G107MUV-EVK-003 Scheda dati (PDF)

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TARIC:: 8473302000
USHTS:: 9030820000

Scheda di valutazione BM3G107MUV-EVK-003

La scheda di valutazione BM3G107MUV-EVK-003 di ROHM Semiconductor è progettata per valutare e dimostrare le capacità del circuito integrato dello stadio di potenza GaN HEMT BM3G107MUV. Il BM3G107MUV è dotato di un driver integrato e di un circuito di protezione. Questo circuito integrato dello stadio di potenza è progettato per adattare i principali controller esistenti in modo da poter sostituire anche gli interruttori di potenza discreti tradizionali, come i MOSFET a giunzione super. La scheda di valutazione BM3G107MUV-EVK-003 presenta una corrente di riposo tipica di 0,18 mA e una velocità di risposta all'accensione di 22 V/ns. Questa scheda di valutazione funziona nell'intervallo di temperatura da -40°C a 105°C.