Renesas Electronics Scheda di valutazione GaN RTDTTP4200W066A
La scheda di valutazione GaN RTDTTP4200W066A di Renesas Electronics è una scheda di valutazione PFC (correzione del fattore di potenza) totem-pole senza ponte, da 4,2 kW, che consente una conversione CA/CC monofase altamente efficiente utilizzando il FETSuperGaN® Gen IV Plus Il TP65H030G4PWS di Renesas Electronics è un ponte FET al nitruro di gallio (GaN) senza diodi con una bassa carica di recupero inverso.
Caratteristiche
- Capacità di PFC totem-pole con tensioni di ingresso basse (low-line) e alte (high line), supportando fino a 4.200 W con un'uscita di 358VDC.
- Frequenza di commutazione di 66 kHz
- Alta efficienza e basse perdite
- Temperatura package raffreddata fino alla massima potenza
- Protezione da sovratensione e sovracorrente
- Disponibile senza piombo
Applicazioni
- PFC totem senza ponte
- Alimentatori per data center
- Alimentatori di ampia applicazione industriale
- Inverter PV
- Servo motori
Layout scheda
FET GaN correlati
Renesas Electronics FET GaN da 650 V, 30mΩ TP65H030G4Px
Questi FET sono disponibili in package TOLT, TO247 e TOLL e utilizzano la piattaforma Gen IV Plus SuperGaN®.
Pubblicato: 2025-08-06
| Aggiornato: 2025-08-25