Renesas Electronics FET GaN da 650 V, 30mΩ TP65H030G4Px
I FET al nitruro di gallio (GaN) da 650 V, 30mΩ TP65H030G4Px di Renesas Electronics sono disponibili in package TOLT, TO247 e TOLL. Questi FET GaN utilizzano la piattaforma Gen IV Plus SuperGaN®, che combina un HEMT GaN ad alto voltaggio di ultima generazione con un MOSFET in silicio a basso voltaggio per offrire prestazioni superiori, drive standard, facilità di adozione e affidabilità.
I semiconduttori di potenza GaN di Renesas Electronics forniscono soluzioni affidabili e ad alte prestazioni per un ampio spettro di applicazioni, che vanno da 25 W a 10 kW. L'architettura unica dei semiconduttori di potenza GaN di Renesas sfrutta le prestazioni intrinseche del GaN e offre diverse opzioni di package, tra cui il compatto PQFN, il robusto TO impiombato e vari package per montaggio superficiale con raffreddamento sia su lato inferiore che superiore. L'architettura normalmente spenta, la vasta varietà di package e il front-end MOSFET in silicio a basso voltaggio integrato, che facilita la compatibilità con i driver standard in silicio, creano un adattamento GaN più semplice ed economico per gli sviluppatori di sistemi.
Caratteristiche
- Resistenza in stato attivo (RDSON) tipica 30 mΩ
- Carica di uscita (Qoss) 127 nC
- Carica di gate (Qg) 22 nC
- Capacità di uscita di Coss = 127 pF, Co(er) = 183 pF, Co(tr) = 339 pF
- Disponibile in package standard del settore TOLL, TOLT(raffreddamento sul lato superiore) e TO-247
- Resistenza in stato attivo (RDSON) tipica ridotta del 14% con eccellente resistenza dinamica allo stato ON rispetto alle parti della Gen IV esistenti
- Il miglioramento del 27% nel FOM (RDSON*Qoss) rispetto alla generazione precedente ha migliorato l'efficienza complessiva
- Bassa domanda di potenza del gate drive e compatibile con i driver di porta standard
- Prestazioni migliorate nelle applicazioni di commutazione dura e morbida (hard-switching e soft-switching), grazie alla transconduttanza superiore e alle basse capacità
- La vasta gamma di package offerti facilita un'integrazione senza problemi in varie applicazioni
Applicazioni
- Infrastrutture (data center/server), alimentatori, UPS, BESS, infrastrutture di carica per l'e-mobility e inverter solari
- Convertitori CC/CC unidirezionali e bidirezionale
- Alimentatori per applicazioni nell'ambito delle telecomunicazioni e dei server in progetti di commutazione dura e morbida (hard-witching e soft-switching)
- Stadi PFC e inverter di applicazioni industriali
Diagramma di applicazione
Strumento di sviluppo
Renesas Electronics Scheda di valutazione GaN RTDTTP4200W066A
Una scheda di valutazione PFC totem-pole che consente una conversione CA/CC monofase altamente efficiente.