FET GaN da 650 V, 30mΩ TP65H030G4Px

I FET al nitruro di gallio (GaN) da 650 V, 30mΩ TP65H030G4Px di Renesas Electronics sono disponibili in package TOLT, TO247 e TOLL. Questi FET GaN utilizzano la piattaforma Gen IV Plus SuperGaN®, che combina un HEMT GaN ad alto voltaggio di ultima generazione con un MOSFET in silicio a basso voltaggio per offrire prestazioni superiori, drive standard, facilità di adozione e affidabilità.

Risultati: 3
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
Scheda dati
351A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
Scheda dati
1.428A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
Scheda dati
698A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN