onsemi Modulo ibrido Si/SiC NXH600B100H4Q2F2S1G

Il modulo ibrido Si/SiC NXH600B100H4Q2F2S1G di onsemi   è un modulo boost per condensatori del tipo flying capacitor a tre canali. Ogni canale ospita due IGBT da 1.000 V, 200 A e due diodi SiC da 1.200 V, 60 A. Il modulo ospita anche un termistore NTC. Il modulo trova impiego in applicazioni come inverter fotovoltaici e gruppi di continuità.

Caratteristiche

  • Boost a 3 canali in un package Q2
  • Trench estremamente efficiente con tecnologia field stop
  • La bassa perdita di commutazione riduce la dissipazione di potenza del sistema
  • Il design del modulo offre alta densità di potenza
  • Layout a bassa induttività
  • Senza piombo.

Applicazioni

  • Inverter fotovoltaici
  • Gruppi di continuità
  • Stadi boost MPPT

Specifiche

  • IGBT (T11, T12, T21, T22, T31, T32)
    • Tensione collettore-emettitore massima: 1.000 V
    • Tensione gate-emettitore massima: ±20 V
    • Tensione gate-emettitore transitoria positiva massima: 30 V
    • Corrente collettore continua massima: 173 A
    • Corrente collettore di picco a impulsi massima: 519 A
    • Dissipazione di potenza massima: 422 W
  • Diodo inverso IGBT (D11, D12, D21, D22, D31, D32)
    • Tensione inversa ripetitiva di picco massima: 1.200 V
    • Corrente diretta continua massima: 66 A
    • Corrente diretta ripetitiva di picco massima: 98 A
    • Dissipazione di potenza massima: 101 W
  • Diodo Schottky al carburo di silicio (D13, D14, D23, D24, D33, D34)
    • Tensione inversa ripetitiva di picco massima: 1.200 V
    • Corrente diretta continua massima: 63 A
    • Corrente diretta ripetitiva di picco massima: 189 A
    • Dissipazione di potenza massima: 204 W
  • Diodo di avvio (D15, D25, D35)
    • Tensione inversa ripetitiva di picco massima: 1.200 V
    • Corrente diretta continua massima: 35 A
    • Corrente diretta ripetitiva di picco massima: 105 A
    • Dissipazione di potenza massima: 84 W
  • Distanza di dispersione massima: 12,7 mm
  • Intervalli di temperatura
    • Giunzione da -40 °C a +175 °C
    • Temperatura di funzionamento in condizioni di commutazione: da -40 °C a +150 °C

Schematico

Schema - onsemi Modulo ibrido Si/SiC NXH600B100H4Q2F2S1G
Pubblicato: 2024-01-30 | Aggiornato: 2024-06-18