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NXH600B100H4Q2F2S1G

Name: onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G
Brand: onsemi
SKU: 863-600B100H4Q2F2S1G
Price: 167.83 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-600B100H4Q2F2S1G

N. produttore:

NXH600B100H4Q2F2S1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Moduli IGBT FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE

Scheda dati:

NXH600B100H4Q2F2S1G Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	167,83 €	167,83 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Moduli IGBT
Prodotto:	Si/SiC Hybrid Modules
Configurazione:	Triple
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	1 kV
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.88 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	173 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	350 nA
Pd - Dissipazione di potenza:	422 W
Package/involucro:	PIM-56
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Confezione:	Tray
Marchio:	onsemi
Tensione gate-emettitore massima:	20 V
Stile di montaggio:	Screw Mount
Tipo di prodotto:	IGBT Modules
Serie:	NXH600B100H4Q2F2S1G
Quantità colli di fabbrica:	36
Sottocategoria:	IGBTs
Tecnologia:	SiC, Si
Nome commerciale:	EliteSiC

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Scheda dati

NXH600B100H4Q2F2S1G Scheda dati

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Modulo ibrido Si/SiC NXH600B100H4Q2F2S1G

Il modulo ibrido Si/SiC NXH600B100H4Q2F2S1G di onsemi è un modulo boost per condensatori del tipo flying capacitor a tre canali. Ogni canale ospita due IGBT da 1.000 V, 200 A e due diodi SiC da 1.200 V, 60 A. Il modulo ospita anche un termistore NTC. Il modulo trova impiego in applicazioni come inverter fotovoltaici e gruppi di continuità.