onsemi MOSFET di potenza NVMJD010N10MCL
Il MOSFET di potenza NVMJD010N10MCL onsemi è un MOSFET doppio a canale N studiato per progetti compatti ed efficienti, comprese alte prestazioni termiche. Questo MOSFET di potenza opera a tensione drain-source 100 V, resistenza drain 10 mΩ e corrente di drain continua 62 A. Il MOSFET NVMJD010N10MCL presenta carica totale del gate (QG) e capacità basse per ridurre al minimo le perdite del driver. Questo MOSFET è disponibile in un package a conduttore piatto da 5 mm x 6 mm ed è qualificato AEC-Q101. Il dispositivo è privo di piombo, privo di alogeni/BFR, senza berillio e conforme alla direttiva RoHS. Questo MOSFET di potenza è ideale per driver a solenoidi, driver low side/high side, controller di motori automobilistici e sistemi frenanti antibloccaggio.
Caratteristiche
- Ingombro ridotto (5 mm x 6 mm) per una progettazione compatta
- Bassa RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
- Bassa QQ e capacità elettrica per ridurre al minimo le perdite del driver
- Tensione drain-source 100 VDSS
- Qualificato AEC-Q101 e con capacità PPAP
- Intervallo temperatura operativa di giunzione e di conservazione: da -55 °C a 175 °C
- Senza piombo, senza alogeni/senza BFR, senza berillio e conforme alla direttiva RoHS
Applicazioni
- Driver a solenoide
- Driver low side/high side
- Controller di motori automobilistici
- Sistemi frenanti antibloccaggio
Grafico delle prestazioni
Dimensioni
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Pubblicato: 2024-02-22
| Aggiornato: 2024-07-02