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NVMJD010N10MCLTWG

Name: onsemi NVMJD010N10MCLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-VMJD010N10MCLTWG
Price: 2.84 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-VMJD010N10MCLTWG

N. produttore:

NVMJD010N10MCLTWG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET PTNG 100V N-CH LL IN LFPA

Scheda dati:

NVMJD010N10MCLTWG Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,84 €	2,84 €
	1,84 €	18,40 €
	1,35 €	135,00 €
	1,14 €	570,00 €
	1,08 €	1.080,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	LFPAK-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	62 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	10 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	26.4 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	84 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Dual
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	KR
Tempo di caduta:	28 ns
Transconduttanza diretta - Min:	61 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	32 ns
Serie:	NVMJD010N10MCL
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	68 ns
Tipico ritardo di accensione:	8 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza NVMJD010N10MCL

Il MOSFET di potenza NVMJD010N10MCL onsemi è un MOSFET doppio a canale N studiato per progetti compatti ed efficienti, comprese alte prestazioni termiche. Questo MOSFET di potenza opera a tensione drain-source 100 V, resistenza drain 10 mΩ e corrente di drain continua 62 A. Il MOSFET NVMJD010N10MCL presenta carica totale del gate (Q_G) e capacità basse per ridurre al minimo le perdite del driver. Questo MOSFET è disponibile in un package a conduttore piatto da 5 mm x 6 mm ed è qualificato AEC-Q101. Il dispositivo è privo di piombo, privo di alogeni/BFR, senza berillio e conforme alla direttiva RoHS. Questo MOSFET di potenza è ideale per driver a solenoidi, driver low side/high side, controller di motori automobilistici e sistemi frenanti antibloccaggio.