NVMYS3D8N04CLTWG

onsemi
863-NVMYS3D8N04CLTWG
NVMYS3D8N04CLTWG

Produttore:

Descrizione:
MOSFET T6 40V LL LFPAK

Ciclo di vita:
NRND:
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Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
40 V
87 A
3.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
55 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marchio: onsemi
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 4 ns
Transconduttanza diretta - Min: 80 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 100 ns
Serie: NVMYS3D8N04CL
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 17 ns
Tipico ritardo di accensione: 9.3 ns
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET di potenza NVMYS3D8N04CL

Il MOSFET di potenza NVMYS3D8N04CL onsemi è un MOSFET a canale N singolo ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Questo MOSFET di potenza funziona con una tensione drain-source di 40 V, una resistenza di drain di 3,7 mΩ e una corrente di drain continua di 87 A. Il MOSFET a canale N NVMYS3D8N04CL è qualificato AEC-Q101, compatibile con PPAP e adatto per applicazioni nel settore automobilistico che richiedono una maggiore affidabilità a livello di scheda. Questo dispositivo è privo di piombo e conforme a RoHS. L' NVMYS3D8N04CL è ideale per interruttori di alimentazione con protezione inversa della batteria, alimentatori di commutazione, driver del solenoide, controllo motori e interruttori di carico.