onsemi
onsemi contribuisce a costruire un futuro migliore guidando innovazioni rivoluzionarie. Focalizzata sui mercati finali del settore automobilistico e industriale, questa società sta accelerando i cambiamenti nelle megatendenze come l'elettrificazione e la sicurezza dei veicoli, l'automazione industriale, le reti energetiche sostenibili e l'infrastruttura 5G e cloud. Con il suo portafoglio di prodotti innovativo, onsemi crea tecnologie di alimentazione e rilevamento intelligenti che risolvono sfide complesse e si adopera per un mondo più pulito, sicuro e intelligente. Onsemi gestisce una catena di fornitura reattiva e affidabile, oltre a programmi di qualità e programmi ESG solidi, e dispone di una rete globale di stabilimenti di produzione, uffici di vendita e marketing e centri di ingegneria nei suoi mercati chiave.
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onsemi Regolatori lineari ultra-rapidi T30LMPSR165Questo dispositivo può fornire una corrente di uscita di 300 mA con una tensione di ingresso di 1,4 V.22/01/2026 -
onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08XQuesto dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).26/12/2025 -
onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NLProgettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.19/12/2025 -
onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3SPresentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.04/12/2025 -
onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.25/11/2025 -
onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.25/11/2025 -
onsemi Shunt per LED NUD4700Forniscono un bypass di corrente nel caso in cui un singolo LED entri in un circuito aperto.21/11/2025 -
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NLPresenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.20/11/2025 -
onsemi Traslatori di livello NL5X4002Traslatori a rilevamento automatico bidirezionali a doppia−alimentazione configurabili a 2 bit.20/11/2025 -
onsemi Regolatori lineari ad alta tensione NCP737Resiste a tensioni di ingresso CC continue o transitorie fino a 65 V con corrente di riposo inferiore a 5 uA.20/11/2025 -
onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NLOffrono bassa RDS(on), per ridurre al minimo le perdite di conduzione, ed elevata capacità di corrente.20/11/2025 -
onsemi IGBT AFGB30T65RQDNOffre un'alta cifra di merito con basse perdite di conduzione e di commutazione.19/11/2025 -
onsemi NZ8P Zener Protection DiodesProgettati per salvaguardare i componenti elettronici sensibili da eventi di scarica elettrostatica (ESD) e di tensione transitoria.19/11/2025 -
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5830NLMOSFET di potenza a canale n singolo ad alto rendimento, progettato per applicazioni di gestione della potenza esigenti.19/11/2025 -
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NLMOSFET ad alte prestazioni progettato per applicazioni a bassa tensione che richiedono una commutazione di potenza efficiente.19/11/2025 -
onsemi FAN53745 regolatore buck sincronoUn convertitore CC-CC che eroga una tensione di uscita regolata da un'alimentazione in ingresso da 2,3 V a 5,5 V.20/10/2025 -
onsemi GFCI autotest NCS37021Un processore di segnale conforme a UL943 per applicazioni GFCI, dotato di capacità di autotest.20/10/2025 -
onsemi NTK3139P MOSFET di potenza singolo canale PDisponibile in un package con un ingombro inferiore del 44% ed è più sottile del 38% rispetto a un package SC-89.14/10/2025 -
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVNJWS200N031LIl dispositivo ha un basso RDS(on) e una bassa soglia del gate ed è disponibile con un fianco bagnabile.14/10/2025 -
onsemi IGBT Field Stop IV a canale N AFGBG70T65SQDCIl dispositivo offre prestazioni ottimali con bassi livelli di perdita di conduzione e commutazione.13/10/2025 -
onsemi IGBT AFGH4L60T120RWx-STD Field Stop VII a canale NIl dispositivo offre buone prestazioni, con bassa tensione in stato attivo e bassi livelli di perdita di commutazione.13/10/2025 -
onsemi Interruttore di protezione da sovratensione e sovraccarico FPF2188LUn interruttore di protezione da sovratensione e sovra-tensione per il percorso di alimentazione nelle applicazioni USB Type-C®/PD.10/10/2025 -
onsemi MOSFET T10 a bassa/media tensioneMOSFET a canale N singolo in 40 V e 80 V con prestazioni migliorate e efficienza del sistema potenziata .06/10/2025 -
onsemi Diodi di protezione ESD MMQA/SZMMQAQuesti dispositivi sono progettati per applicazioni che richiedono capacità di protezione da sovratensione transitoria.23/09/2025 -
onsemi NL3V8T24x traslatori di livello a doppia alimentazione a 8 bitFacilita la traslazione continua del livello di tensione tra due domini logici nei sistemi digitali.10/09/2025