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Nexperia MOSFET a trincea a canale P PMVxx

I MOSFET a trincea a canale P NXP sono transistor a effetto di campo (FET) ad arricchimento in un piccolo package di plastica a montaggio superficiale (SMD) SOT23 (TO-236AB). Impiegano la tecnologia MOSFET a trincea e offrono una bassa tensione di soglia e una commutazione estremamente rapida. Questi MOSFET sono ideali per applicazioni come driver di relè, driver di linea ad alta velocità, interruttori di carico a valle e circuiti di commutazione.

Caratteristiche

  • Low threshold voltage
  • Very fast switching
  • Trench MOSFET technology
  • 2kV ESD protected
  • Low on-state resistance
  • Enhanced power dissipation capability of 1096mW
  • Enhanced power dissipation capability: Ptot= 1000mW

Applicazioni

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • High-side load switch
  • Switching circuits

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Codice prodotto Scheda dati Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs th - Tensione di soglia gate-source Vgs - Tensione gate-source Qg - Carica del gate Pd - Dissipazione di potenza
PMV50XPR PMV50XPR Scheda dati 4.4 A 48 mOhms 900 mV - 12 V, 12 V 7.7 nC 1.096 W
PMV33UPE,215 PMV33UPE,215 Scheda dati 5.3 A 30 mOhms 950 mV - 8 V, 8 V 14.7 nC 980 mW
PMV75UP,215 PMV75UP,215 Scheda dati 3.2 A 77 mOhms 900 mV - 12 V, 12 V 5 nC 1 W
PMV50XPAR PMV50XPAR Scheda dati 3.6 A 60 mOhms 1 V - 10 V, 10 V 7.7 nC 1.096 W
Pubblicato: 2015-03-10 | Aggiornato: 2023-02-07