ASFET per Repetitive Avalanche

Gli ASFET per Repetitive Avalanche di Nexperia offrono una tensione drain-source massima da 40 VDS a 60 VDS, un intervallo di corrente drain da 16 ID a 40ID e una carica gate-drain di 7,9 QGD. Gli ASFET sono omologati per il settore automobilistico a norma AEC-Q101 e offrono elevata robustezza, affidabilità e tecnologia di package a clip in rame LFPAK. Gli ASFET per Repetitive Avalanche di Nexperia sono ideali per sistemi del settore automobilistico da 12 V, 24 V e 48 V, topologie Repetitive Avalanche e applicazioni di controllo motore.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Nexperia MOSFET BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56D
Scheda dati
1.189A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET BUK9K13-60RA/SOT1205/LFPAK56D
Scheda dati
2.196A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-1205-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 12.5 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET BUK9K52-60RA/SOT1205/LFPAK56D
Scheda dati
2.106A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 55 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel