MACOM HEMT GAN CGHV600 a 6 GHz
Gli HEMT (transistor ad alta mobilità elettronica) al GaN (nitruro di gallio) CGHV600 6 GHz di Cree offrono prestazioni superiori rispetto ai transistor al silicio (Si) o all'arseniuro di gallio (GaAs). Gli HEMT GaN CGHV600 offrono maggiore tensione di breakdown, elevata velocità di deriva degli elettroni saturati e una maggiore conduttività termica. Questi transistor offrono inoltre maggiore densità di potenza e maggiori ampiezze di banda. I dispositivi della serie CGHV600 sono ideali per l'uso in una varietà di applicazioni, tra cui infrastrutture cellulari e amplificatori di classe A, AB e lineari.
Caratteristiche
- CGHV60040D
- 18dB typical small-signal gain at 4GHz
- 17dB typical small-signal gain at 6GHz
- 65% typical power-added efficiency
- 40W typical PSAT
- 50V operation
- High breakdown voltage
- Up to 6GHz operation
- 820μm x 1800μm x 100μm bare die
- CGHV60075D5
- 19dB typical small-signal gain at 4GHz
- 17dB typical small-signal gain at 6GHz
- 65% typical power-added efficiency
- 75W typical PSAT
- 50V operation
- High breakdown voltage
- Up to 6GHz operation
- 3000μm x 820μm x 100μm bare die
Applicazioni
- 2-way private radio
- Broadband amplifiers
- Cellular infrastructure
- Test instrumentation
- Class A, AB, and linear amplifiers for OFDM, W-CDMA, EDGE, and CDMA waveforms
CGHV60040D Mechanical Drawing
CGHV60075D5 Mechanical Drawing
Related HEMTs
MACOM HEMT GaN CMPA0530002S
Progettati appositamente per capacità ad alta efficienza, alto guadagno e ampia larghezza di banda.
Pubblicato: 2015-03-18
| Aggiornato: 2024-01-18