IXYS MOSFET SiC a canale N LSIC1MO170E0750
Il LSIC1MO170E0750 di IXYS è un MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N da 750 mΩ ottimizzato per applicazioni ad alta frequenza e alta efficienza. La bassa resistenza del gate e la resistenza in conduzione ultrabassa lo rendono adatto per applicazioni di commutazione ad alta frequenza. Questo dispositivo presenta una carica del gate e una capacità di uscita estremamente basse, nonché operazioni normalmente OFF a tutte le temperature. L'IXYS LSIC1MO170E0750 è adatto per una varietà di applicazioni che utilizzano la commutazione ad alta frequenza, come alimentatori a commutazione, inverter solari, sistemi UPS, convertitori CC-CC ad alta tensione e altro ancora.
Caratteristiche
- Ottimizzato per applicazioni ad alta frequenza e ad alta efficienza
- Capacità di uscita e carica di gate estremamente basse
- Bassa resistenza di gate per commutazione ad alta frequenza
- Operazioni normalmente OFF a tutte le temperature
- Resistenza in conduzione ultrabassa
Applicazioni
- Applicazioni ad alta frequenza
- Inverter solari
- Alimentatori a commutazione
- Gruppo statico di continuità (UPS)
- Unità di azionamento motore
- Convertitori CC/CC ad alta tensione
- Caricabatterie
- Riscaldamento a induzione
Specifiche
- 1.700 VDS
- Fino a 6,2 A di corrente di drain continua
- Resistenza gate 29 Ω
- 750 mΩ RDS(ON)
- Dissipazione di potenza fino a 60 W
- Da -5 V CC a +20 VCC tensione gate-source consigliata, da -6 VCC a +22 VCC massima
Dimensioni e piedinatura
MOSFET correlati
Littelfuse MOSFET SiC
Ottimizzati per applicazioni ad alta frequenza e ad alta efficienza
Pubblicato: 2021-06-08
| Aggiornato: 2022-03-11