MOSFET SiC

I MOSFET SiC di Littelfuse sono ottimizzati per applicazioni ad alta frequenza e ad alta efficienza. Questi robusti MOSFET SiC sono disponibili in package TO-247-3L e offrono un bassissimo livello di resistenza nello stato di ON. Littelfuse offre dei MOSFET SiC progettati, sviluppati e prodotti con una carica di gate e un capacità di uscita estremamente basse, prestazioni e robustezza eccellenti ad ogni temperatura e una resistenza nello stato di ON molto bassa. Ora disponibile: 1200 V, nelle versioni 80, 120 e 160 mOhm.

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IXYS MOSFET SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET 4.196A magazzino
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet 548A magazzino
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Littelfuse Diodi Schottky SiC RECT 650V 20A SM SCHOTTKY 713A magazzino
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Nastrati: 800

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2)
IXYS MOSFET SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC 1.927A magazzino
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3

Littelfuse Diodi Schottky SiC RECT 1.2KV 40A SM SCHOTTKY 74A magazzino
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SiC Schottky Diodes Screw Mount SOT-227B

Littelfuse Diodi Schottky SiC RECT 1.2KV 120A SM SCHOTTKY
9925/08/2026 previsto
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SiC Schottky Diodes Screw Mount SOT-227B
Littelfuse Diodi Schottky SiC 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101 Non disponibile a magazzino
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2)