IXYS MOSFET al carburo di silicio (SiC) IXSxNxL2Kx
I MOSFET in carburo di silicio (SiC) IXYS IXSxNxL2Kx hanno un'alta tensione di blocco con bassa resistenza in stato di conduzione [RDS(ON)]. La resistenza in stato di conduzione è compresa tra 25 mΩ e 160 mΩ, e la corrente continua di scarico (ID) è compresa tra 20 A e 111 A. Questi dispositivi offrono commutazione ad alta velocità con bassa capacità e hanno una diodo corporeo intrinseco ultraveloce. Sono disponibili con una tensione di uscita-sorgente (VDSS) nominale di 650 V o 1.200 V. I MOSFET in carburo di silicio (SiC) IXYS IXSxNxL2Kx sono disponibili in tre involucri (TO-263-7L, TOLL-8 e TO-247-4L).
Caratteristiche
- Tecnologia MOSFET in SiC con pilotaggio della griglia da –3/+15 V a 18 V (IXSA65N120L2-7TR, IXSA110N65L2-7TR, IXSG110N65L2K, IXSH65N120L2KHV e IXSH100N65L2KHV)
- Alta tensione di blocco con bassa resistenza in stato di conduzione
- Commutazione ad alta velocità con bassa capacità
- Elevata capacità di temperatura di giunzione operativa (IXSG40N65L2K, IXSG60N65L2K, IXSG110N65L2K)
- Diodo corporeo intrinseco ultraveloce
- Contatto sorgente Kelvin
- Temperatura di giunzione virtuale massima di Tvj = +175 °C (IXSA20N120L2-7TR, IXSA40N65L2-7TR, IXSA60N65L2-7TR, IXSA65N120L2-7TR, IXSA110N65L2-7TR, IXSH20N120L2KHV, IXSH40N65L2KHV, IXSH60N65L2KHV, IXSH65N120L2KHV e IXSH100N65L2KHV)
- Valutazione MSL1
Applicazioni
- IXSA20N120L2-7TR
- Infrastrutture di caricamento EV
- Correzione del fattore di potenza
- Alimentazione del server Telecom
- Comandi di motori
- Booster solari
- Sistemi di alimentazione industriale
- Sistemi di accumulo di energia
- IXSH100N65L2KHV
- Infrastruttura di caricamento EV
- Invertitori solari
- Convertitori CC-CC
- SMPS industriali
- Sistema di accumulo di energia
- UPS
- IXSG40N65L2K, IXSG60N65L2K e IXSG110N65L2K
- Infrastrutture di caricamento EV
- Riscaldamento a induzione
- Driver per motori
- Invertitori solari
- Alimentatori a commutazione
- Sistemi di accumulo di energia
- IXSA60N65L2-7TR
- Infrastrutture di caricamento EV
- Booster solari
- Alimentatori a commutazione
- UPS
- Sistemi di accumulo di energia
- IXSA40N65L2-7TR IXSH20N120L2KHV IXSH40N65L2KHV IXSH60N65L2KHV e IXSH65N120L2KHV
- Alimentatori a commutazione
- UPS
- Infrastrutture di caricamento EV
- Sistemi di accumulo di energia
- IXSA110N65L2-7TR
- Alimentatori a commutazione
- UPS
- Comandi di motori
- Riscaldamento a induzione
- Booster solari
- Sistema di accumulo di energia
- IXSA65N120L2-7TR
- Infrastruttura di caricamento EV
- Inverter PV
- Correzione del fattore di potenza
- Riscaldamento a induzione
- Sistema di accumulo di energia
Diagrammi piedinatura
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| Codice prodotto | Scheda dati | Package/involucro | Vds - Tensione di rottura drain-source | Id - corrente di drain continua | Rds On - Drain-source sulla resistenza | Pd - Dissipazione di potenza | Qg - Carica del gate |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXSH65N120L2KHV |  |
TO-247-4L | 1.2 kV | 65 A | 52 mOhms | 375 W | 110 nC |
| IXSA65N120L2-7TR | |
TO-263-7L | 1.2 kV | 65 A | 53 mOhms | 417 W | 110 nC |
| IXSG110N65L2K | |
TOLL-8 | 650 V | 111 A | 33 mOhms | 600 W | 125 nC |
| IXSA110N65L2-7TR | |
TO-263-7L | 650 V | 111 A | 33 mOhms | 600 W | 125 nC |
| IXSA40N65L2-7TR | |
TO-263-7 | 650 V | 43 A | 78 mOhms | 174 W | 64 nC |
| IXSA60N65L2-7TR | |
TO-263-7 | 650 V | 60 A | 53 mOhms | 249 W | 94.7 nC |
| IXSH100N65L2KHV | |
TO-247-4L | 650 V | 99 A | 33 mOhms | 454 W | 125 nC |
| IXSH20N120L2KHV | |
TO-247-4 | 1.2 kV | 20 A | 208 mOhms | 136 W | 29 nC |
| IXSH40N65L2KHV | |
TO-247-4 | 650 V | 43 A | 78 mOhms | 174 W | 64 nC |
| IXSA20N120L2-7TR | |
TO-263-7 | 1.2 kV | 20 A | 208 mOhms | 136 W | 29 nC |
Pubblicato: 2025-09-10
| Aggiornato: 2025-09-24