MOSFET al carburo di silicio (SiC) IXSxNxL2Kx

I MOSFET in carburo di silicio (SiC) IXYS IXSxNxL2Kx hanno un'alta tensione di blocco con bassa resistenza in stato di conduzione [RDS(ON)]. La resistenza in stato di conduzione è compresa tra 25 mΩ e 160 mΩ, e la corrente continua di scarico (ID) è compresa tra 20 A e 111 A. Questi dispositivi offrono commutazione ad alta velocità con bassa capacità e hanno una diodo corporeo intrinseco ultraveloce. Sono disponibili con una tensione di uscita-sorgente (VDSS) nominale di 650 V o 1.200 V. I MOSFET in carburo di silicio (SiC) IXYS IXSxNxL2Kx sono disponibili in tre involucri (TO-263-7L, TOLL-8 e TO-247-4L).

Risultati: 13
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
IXYS MOSFET SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Scheda dati
100A magazzino
45002/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
Scheda dati
78A magazzino
80002/06/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
Scheda dati
2.090A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
Scheda dati
900A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO263-7L
Scheda dati
900A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO263-7L
Scheda dati
900A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Scheda dati
550A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO247-4L
Scheda dati
550A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV
Scheda dati
550A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO263
Scheda dati
76A magazzino
80016/02/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TOLL
Scheda dati
76A magazzino
2.00016/02/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TOLL
Scheda dati
80A magazzino
2.00016/02/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT TTOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFET SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV
Scheda dati
100A magazzino
45023/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement