Infineon Technologies MOSFET di potenza ottimizzati OptiMOS™ 7 da 40V
I MOSFET di potenza ottimizzati OptiMOS™ 7 a canale N da 40V di Infineon Technologies sono unità di azionamento motori ottimizzate che offrono soluzioni su misura per una conversione di potenza efficiente in unità di azionamento, alimentazione e utensili da giardinaggio. Il portfolio di dispositivi da 40V di Infineon offre nodi di tensione aggiuntivi e bassa resistenza in conduzione [RDS(on)] con opzioni di package standard, tra cui PG-TDSON (PQFN 5 mm x 6 mm), PG-TSDSON (PQFN 3,3 mm x 3,3 mm) e PG-WSON-8 (PQFN 5 mm x 6 mm raffreddato su entrambi i lati). Le applicazioni a cui sono destinati includono controllo del motore, sistemi di gestione della batteria (BMS), aspirapolvere senza fili, utensili elettrici e da giardinaggio.
Caratteristiche
- Efficienza migliorata e prestazioni superiori, riducendo le perdite di potenza
- Robustezza migliorata in condizioni difficili
- Gestione migliorata della corrente di impulso
- Migliorata immunità contro eventi di cortocircuito
- Migliorata immunità contro eventi di accensioni parassite
- Limitazione intrinseca della corrente di cortocircuito
- Migliorato controllo della velocità di risposta/migliore comportamento EMI e facilità d'uso
- Canale N, livello normale
- SOA migliorata
- Unità di azionamento ottimizzate
- Resistenza termica superiore
- Transconduttanza controllata
- Collaudati al 100% con il metodo a valanga
- Package PG-TDSON (PQFN 5 mm x 6 mm), PG-TSDSON (PQFN 3,3 mm x 3,3 mm) e PG-WSON-8 (PQFN 5 mm x 6 mm raffreddato su entrambi i lati)
- Certificati per applicazioni industriali secondo gli standard JEDEC JESD47, JESD22 e J‑STD‑020
- Rivestimento senza piombo e conforme alla direttiva RoHS
- Senza alogeni secondo la norma IEC61249‑2‑21
Applicazioni
- Utensili elettrici e aspirapolvere senza fili
- Apparecchiature per esterni
- Soluzioni BMS non impilabili
- Azionamento motori BDC/BLDC a bassa potenza fino a 72V
Specifiche
- Tensione di rottura drain‑source minima 40V
- Intervallo tesione di soglia del gate da 2,35V a 3,15V
- Intervallo di corrente di drain da 1μA a 100μA con tensione del gate zero
- Corrente di dispersione gate-source massima 100nA
- Intervallo di resistenza drain-source in conduzione massima da 0,5mΩ a 1,63mΩ
- Intervallo di resistenza di gate tipica da 0,7Ω a 1Ω
- Intervallo di transconduttanza tipica da 100 S a 150 S
- Intervallo di corrente di drain continua massima da 31A a 458A
- Intervallo di corrente di drain a impulsi massima da 696A a 1832A
- Intervallo di energia di un singolo impulso a effetto valanga massima da 68mJ a 726mJ
- Tensione gate-source massima ±20V
- Intervallo di dissipazione di potenza massima da 94W a 214W a +25°C
- Intervallo temperatura di conservazione massima da -55°C a +175 °
- Intervalli tipici della capacità elettrica
- Da 2400pF a 7700pF in ingresso
- Da 1300pF a 4000pF in uscita
- Da 30pF a 87pF in trasferimento inverso
- Intervalli di tempi tipici
- Ritardo di accensione da 8,2 ns a 16 ns
- Tempo di salita da 2,6 ns a 8,1 ns
- Ritardo di spegnimento da 13 ns a 36 ns
- Tempo di caduta da 4,5 ns a 12 ns
- Resistenza termica massima
- Giunzione a case lato inferiore 0,7°C/W a 1,6°C/W
- Giunzionea a case lato superiore 20°C/W
- Giunzione ad ambiente 50°C/W, area di raffreddamento 6 cm2
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Pubblicato: 2025-09-15
| Aggiornato: 2026-02-06