MOSFET di potenza ottimizzati OptiMOS™ 7 da 40V

I MOSFET di potenza ottimizzati OptiMOS™ 7 a canale N da 40V di Infineon Technologies sono unità di azionamento motori ottimizzate che offrono soluzioni su misura per una conversione di potenza efficiente in unità di azionamento, alimentazione e utensili da giardinaggio. Il portfolio di dispositivi da 40V di Infineon offre nodi di tensione aggiuntivi e bassa resistenza in conduzione [RDS(on)] con opzioni di package standard, tra cui PG-TDSON (PQFN 5 mm x 6 mm), PG-TSDSON (PQFN 3,3 mm x 3,3 mm) e PG-WSON-8 (PQFN 5 mm x 6 mm raffreddato su entrambi i lati). Le applicazioni di destinazione includono il controllo dei motori, i sistemi di gestione delle batterie (BMS), gli aspirapolvere senza fili, gli attrezzi da giardinaggio e gli utensili elettrici.

Risultati: 10
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 4.173A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 256 A 1.05 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.693A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 458 A 500 uOhms 20 V 3.15 V 117 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.337A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 357 A 650 uOhms 20 V 3.15 V 85 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.720A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 284 A 900 uOhms 20 V 3.15 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.889A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 177 A 1.4 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 2.804A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 174 A 1.49 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 28A magazzino
10.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 219 A 1.15 mOhms 20 V 3.15 V 45 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power MOSFET in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
4.00007/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 443 A 520 uOhms 20 V 3.2 V 112 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power MOSFET in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package
4.00007/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 339 A 650 uOhms 20 V 3.2 V 81 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power MOSFET in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
4.00007/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 289 A 820 uOhms 20 V 3.2 V 65 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape