MOSFET di potenza ottimizzati OptiMOS™ 7 da 40V

I MOSFET di potenza ottimizzati OptiMOS™ 7 a canale N da 40V di Infineon Technologies sono unità di azionamento motori ottimizzate che offrono soluzioni su misura per una conversione di potenza efficiente in unità di azionamento, alimentazione e utensili da giardinaggio. Il portfolio di dispositivi da 40V di Infineon offre nodi di tensione aggiuntivi e bassa resistenza in conduzione [RDS(on)] con opzioni di package standard, tra cui PG-TDSON (PQFN 5 mm x 6 mm), PG-TSDSON (PQFN 3,3 mm x 3,3 mm) e PG-WSON-8 (PQFN 5 mm x 6 mm raffreddato su entrambi i lati). Le applicazioni a cui sono destinati includono controllo del motore, sistemi di gestione della batteria (BMS), aspirapolvere senza fili, utensili elettrici e da giardinaggio.

Risultati: 7
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.869A magazzino
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 256 A 1.05 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.924A magazzino
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 219 A 1.15 mOhms 20 V 3.15 V 45 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.840A magazzino
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 174 A 1.49 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.424A magazzino
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 458 A 500 uOhms 20 V 3.15 V 117 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.138A magazzino
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 357 A 650 uOhms 20 V 3.15 V 85 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.415A magazzino
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 284 A 900 uOhms 20 V 3.15 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.457A magazzino
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 177 A 1.4 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape