MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 canale N

I MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 N-Channel di Infineon Technologies sono transistori ad alta prestazione a canale N progettati per applicazioni di conversione di potenza impegnative. Questi MOSFET offrono un'altissima resistenza al passaggio della corrente, una resistenza termica superiore e un eccellente rapporto Miller per la robustezza dv/dt. I MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 sono ottimizzati sia per le topologie di hard-switching e soft-switching e per FOMoss. Questi MOSFET sono testati al 100% contro gli effetti valanga e sono conformi alla direttiva RoHS. I MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 sono esenti da alogeni secondo la norma IEC61249‑2‑21.

Risultati: 9
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Scheda dati
4.800A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 6.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 348 A 640 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Scheda dati
3.980A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 422 A 500 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Scheda dati
3.974A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 406 A 540 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Scheda dati
1.081A magazzino
6.00016/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 6.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 430 A 480 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Scheda dati
4.756A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 6.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 298 A 500 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Scheda dati
3.992A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 338 A 680 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Scheda dati
4.792A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 6.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 282 A 800 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Scheda dati
3.995A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 275 A 840 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
Scheda dati
5.460A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 1.9 mOhms 20 V 3.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape