Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 da 440 V in carburo di silicio
I MOSFET al carburo di silicio CoolSiC ™ 440 V G2 di Infineon Technologies sono progettati per colmare il divario tra i MOSFET Si trench da 200 V e i MOSFET Si super giunzione (SJ) da 600 V. Questi MOSFET offrono un'eccezionale densità di potenza ed elevata efficienza di sistema in topologie a 2 e 3 livelli con commutazione rigida e morbida. I MOSFET CoolSiC™ presentano una tensione di blocco di 440 V, una tensione di soglia di gate di 4,5 V e una bassa dipendenza dalla temperatura di RDS(ON). Questi MOSFET combinano elevata robustezza con perdite di commutazione e resistenza in stato attivo estremamente basse. Le applicazioni tipiche includono l'alimentazione per l'intelligenza artificiale (AI), gli SMPS ad alta potenza per server, data center e raddrizzatori per telecomunicazioni.
Caratteristiche
- Tensione di blocco di 440 V
- Tensione di soglia del gate di 4,5 V
- Supporto per pilotaggio unipolare (VGSoff=0)
- FOM inferiori rispetto ai MOSFET SiC da 650 V
- Efficienza elevata del sistema
- Progetti ad alta densità di potenza
- Elevata robustezza di progettazione
- Riduzione del filtraggio EMI
- Diodo integrato a bassa carica Qfr , resistente alle commutazioni rapide
- Bassa dipendenza dalla temperatura di RDS(on)
- Elevata controllabilità
- Basso sovratensionamento Voff durante il funzionamento ad alto dV/dt
- Utilizzo in topologie a commutazione forzata
Applicazioni
- MOSFET specifici per applicazione progettati per alimentare sistemi IA
- SMPS ad alta potenza per server
- Data center
- Raddrizzatori per telecomunicazioni
Modulo immagine
Struttura della cella
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Schede tecniche
Risorse aggiuntive
Pubblicato: 2026-02-26
| Aggiornato: 2026-03-10