MOSFET al carburo di silicio G2 CoolSiC™

I MOSFET in carburo di silicio CoolSiC  di Infineon Technologies™ G2 garantiscono eccellenti prestazioni SiC, soddisfacendo al contempo i più elevati standard qualitativi in tutte le comuni combinazioni di schemi di alimentazione (AC-DC, DC-DC e DC-AC). I MOSFET in SiC offrono prestazioni aggiuntive per inverter fotovoltaici, sistemi di accumulo di energia, ricarica di veicoli elettrici, alimentatori e azionamenti motore rispetto alle alternative in Si. I MOSFET Infineon CoolSiC G2 fanno ulteriormente progredire l’esclusiva tecnologia di interconnessione XT (ad es. in alloggiamenti dedicati TO-263-7, TO-247-4) che consente di risolvere il problema comune: migliorare le prestazioni dei chip dei semiconduttori mantenendo al contempo la capacità termica. La capacità termica del G2 è superiore del 12%, potenziando le cifre di merito del chip a un livello robusto di prestazioni SiC.